業界別ソリューション 半導体

半導体製造プロセスで扱われる様々なウェハを非破壊、非接触に評価することができます。光に弱いレジスト膜も、露光してしまう心配もなく測定することができます。膜厚を高速に測定することにより、成膜プロセスの不均一性を検出し、ウェハが後工程へ流れる前に異常を早期発見することで余計なコスト発生を抑えることができます。プロセス開発においても、最適な条件を模索する段階でご活用頂けます。

代表的な測定対象
SiC、GaN、サファイア、ガラス、レジスト

推奨機種
ME-201, ME-301, SE-101