2024/11/28　14時から次世代半導体ウエハ欠陥に有効 最新の偏光計測手法セミナーをwebにて開催します。

今回のセミナーでは、企業の技術・製造部門、大学・研究機関のご担当者の方々だけでなく、その他の皆様にも分かりやすく「光」を使った計測技術をご紹介いたします。

独自光学素子「フォトニック結晶」をコアコンピタンスに持つ当社は、「光」のもつ可能性でお客様の潜在的なお困りごとや期待に応えてまいりました。
これまで国内外の多くのお客様へ納入した実績と、「光」を使った計測技術の新たな可能性をご紹介いたします。

今回ご紹介するのは、次世代半導体ウエハ欠陥に有効・偏光計測手法などです。

次世代半導体であるSiCやGaNウェハは、電気自動車、発電、そして通信等の多様な分野で、その活用が益々期待されています。
また、半導体分野全体において米国および中国を中心に設備投資が引き続き活発です。
これらの市場状況を踏まえ、今回のセミナーでは、次世代半導体の品質検査としてニーズが増加するウエハ欠陥（転位、ひずみ、傷など）を対象とした最新の偏光計測手法について、従来のX線計測との比較、あるいは計測事例を挙げながら紹介するとともに、従来の半導体製造に不可欠であるフォトレジスト層の高速膜厚計測の最新技術について紹介します。
おまけとして、大学発の事情や、結晶化に関係するポリマーの計測事例などについても紹介します。

事例①
ガリウムナイトライドウエハの欠陥計測

図. 3インチGaNウエハの1ショット位相差計測結果

事例②
フォトレジストの高速膜厚計測

図. 6インチウエハ上のフォトレジスト膜厚計測結果

また、2002年に東北大学発ベンチャーとしてスタートした当社が、2022年にM&Aを経て上場企業グループに加わってからのリアルな奮闘記も社長の大沼自らお話をさせていただきます。
大学発ベンチャー企業の未来像の一例や、一般企業の融合にご興味がある方も是非ご参加ください。

セミナー概要
・会社紹介

・次世代半導体ウエハ欠陥に対する最新の偏光計測と従来Ｘ線計測との比較
・次世代半導体ウエハ欠陥の偏光計測事例
・半導体製造工程におけるレジストなどの高速膜厚計測
・ポリマーの配向構造計測の最新事例

・大学発ベンチャーフォトニックラティスのリアルな活動日記

対象者
企業の技術・製造部門の方、大学・研究機関の方、及び一般の方

※競合他社様であると判断した場合、ご参加をお断りさせていただいております。その際には、こちらからメールにてご連絡いたします。あらかじめご了承ください。

セミナー詳細
主催
株式会社フォトニックラティス

視聴方法
Zoomによるウェビナー開催です。
お申込み後、別途参加用URLをお送りいたします。
参加者のみなさまの顔出しはございませんので、ご安心ください。

参加費
無料